[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201380054450.2 | 申请日： | 2013-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN104704638A | 公开（公告）日： | 2015-06-10 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;须泽英臣;笹川慎也;田中哲弘 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/28;H01L21/316;H01L21/318;H01L21/336;H01L21/365;H01L21/8234;H01L21/8242;H01L21/8247;H01L27/08;H01L27/088;H01L27/105 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 姜冰;姜甜 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 通过抑制其电特性的变化来提供一种包括氧化物半导体的极可靠半导体器件。氧从设置在氧化物半导体层下面的基绝缘层以及设置在氧化物半导体层之上的栅绝缘层提供给其中形成沟道的区域，由此填充可能在沟道中生成的氧空位。此外，抑制通过氧化物半导体层中形成的沟道附近的源电极层或漏电极层从氧化物半导体层提取氧，由此抑制可能在沟道中生成的氧空位。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括： 基绝缘层； 所述基绝缘层之上的第一氧化物层； 所述第一氧化物层之上的氧化物半导体层； 所述氧化物半导体层之上的第二氧化物层； 第一源电极层和第一漏电极层，它们各自与所述第二氧化物层的顶面相接触； 第二源电极层和第二漏电极层，分别在所述第一源电极层和所述第一漏电极层之上，并且与所述第二氧化物层的顶面相接触； 栅绝缘层，在所述第二源电极层和所述第二漏电极层之上，并且与所述第二源电极层与所述第二漏电极层之间的所述第二氧化物层的顶面相接触；以及 栅电极层，与所述氧化物半导体层重叠，所述栅绝缘层在它们之间被提供， 其中所述基绝缘层和所述栅绝缘层相互接触。
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