[发明专利]碳化硅粉末和其制备方法有效
| 申请号： | 201380054499.8 | 申请日： | 2013-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN104837767B | 公开（公告）日： | 2017-06-30 |
| 发明（设计）人： | 韩姃恩;申东根;金柄淑;闵庚皙 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司;成均馆大学校产学协力团 |
| 主分类号： | C01B32/97 | 分类号： | C01B32/97;C04B35/565;C04B35/626 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 蔡胜有,冷永华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据本发明的一个实施方案，制备碳化硅粉末的方法包括以下步骤通过混合碳源和硅源来收集混合物粉末；通过加热该混合物粉末来合成第一碳化硅粉末；通过对第一碳化硅粉末造粒来形成经造粒的粉末；并且通过加热经造粒的粉末来形成具有比第一碳化硅粉末更大的粒子的第二碳化硅粉末。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 粉末 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种制备碳化硅粉末的方法，所述方法包括：通过混合碳源和硅源来收集混合的粉末；通过加热所述混合的粉末来合成β相的第一碳化硅粉末；通过对所述β相的第一碳化硅粉末造粒来形成经造粒的粉末；以及通过加热所述经造粒的粉末来形成粒径大于所述β相的第一碳化硅粉末的α相的第二碳化硅粉末，其中所述合成β相的第一碳化硅粉末包括在600℃至1000℃范围内的温度下进行的碳化过程和在1300℃至1700℃范围内的温度下进行的合成过程，其中形成所述α相的第二碳化硅粉末在2000℃至2200℃范围内的温度下进行，其中所述α相的第二碳化硅粉末包含α相的颗粒状碳化硅粉末，以及其中所述α相的颗粒状碳化硅粉末的粒径D50为100μm至10mm，所述α相的颗粒状碳化硅粉末的分布D90/D10为1至3，包括500ppm或更少的氮，以及包括1000ppm或更少的氧。
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