[发明专利]光电二极管阵列

摘要

本发明的目的在于提供一种高时间分辨率的光电二极管阵列。受光区域包含多个光检测部(10)，各个光检测部(10)具备：第1导电型的第1半导体区域(12)；第2导电型的第2半导体区域(13、14)，其与第1半导体区域(12)构成pn结；第1接触电极(3A)，其与第2半导体区域接触；第2接触电极(4A)，其具备与第1接触电极(3A)不同的材料，配置在重叠于第1接触电极(3A)的位置，并与第1接触电极接触；以及电阻层(4B)，其与第2接触电极(4A)连续。

主权项

一种光电二极管阵列，其特征在于：具备受光区域，所述受光区域包含多个光检测部，各个所述光检测部具备：第1导电型的第1半导体区域；第2导电型的第2半导体区域，其与所述第1半导体区域构成pn结；第1接触电极，其与所述第2半导体区域接触；第2接触电极，其具备与所述第1接触电极不同的材料，配置在重叠于所述第1接触电极的位置，并与所述第1接触电极接触；以及电阻层，其与所述第2接触电极连续。