[发明专利]发光装置在审
| 申请号： | 201380055302.2 | 申请日： | 2013-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN104737308A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 韩大燮;文用泰;白光善;曹阿拉 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/04;H01L33/22 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈海涛;穆德骏 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明的一个实施方案涉及发光装置、制造所述发光装置的方法、发光装置封装体及照明系统。根据所述一个实施方案的发光装置包含：第一导电半导体层(112)；在第一导电半导体层(112)上的氮化镓基超晶格层(124)；在氮化镓基超晶格层(124)上的有源层(114)；在有源层(114)上的第二导电氮化镓基层；和在第二导电氮化镓基层上的第二导电半导体层(116)，其中第二导电氮化镓基层可包括在有源层(114)上的第二导电AlxGa(1-x)N/AlyGa(1-y)N超晶格层(其中，0<x<1，0<y<1)(128)。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 装置 | ||
【主权项】：
一种发光装置，其包含：第一导电半导体层；在所述第一导电半导体层上的氮化镓基超晶格层；在所述氮化镓基超晶格层上的有源层；在所述有源层上的第二导电氮化镓基层；和在所述第二导电氮化镓基层上的第二导电半导体层，其中所述第二导电氮化镓基层包含在所述有源层上的第二导电AlxGa(1‑x)N/AlyGa(1‑y)N超晶格层(其中0＜x＜1，0＜y＜1)。
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