[发明专利]包含无机磷酸盐的掺杂组合物在审
| 申请号： | 201380055446.8 | 申请日： | 2013-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN104756234A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | E·V·罗戈吉纳 | 申请（专利权）人： | E.I.内穆尔杜邦公司 |
| 主分类号： | H01L21/22 | 分类号： | H01L21/22;H01L21/228;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 江磊;朱黎明 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了用于掺杂半导体材料诸如硅的组合物，该组合物可包含：a)溶剂和a)分散在所述溶剂中的含磷的酸的无机盐。本发明还公开了使用此类组合物的掺杂方法，以及制备该掺杂组合物的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 无机 磷酸盐 掺杂 组合 | ||
【主权项】：
一种半导体掺杂方法，包括：(A)获得包含半导体材料的基板，以及(B)使所述基板的表面的至少一部分与有效量的掺杂组合物接触，所述掺杂组合物包含：a)溶剂和b)分散在所述溶剂中的含磷的酸的无机盐。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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