[发明专利]非易失性存储器阵列逻辑有效

专利信息
申请号: 201380055776.7 申请日: 2013-01-14
公开(公告)号: CN104756193B 公开(公告)日: 2018-11-06
发明(设计)人: 弗雷德里克·佩纳 申请(专利权)人: 慧与发展有限责任合伙企业
主分类号: G11C16/06 分类号: G11C16/06;G11C16/26
代理公司: 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 代理人: 严芬;康泉
地址: 美国德*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种用于实施非易失性存储器阵列逻辑的方法包括:将交叉点存储器阵列配置在第一配置下,并将输入电压施加至在所述第一配置下的所述交叉点阵列,以产生设置电压。将所述交叉点阵列配置在第二配置下,并将输入电压施加至在所述第二配置下的所述交叉点阵列,以产生检测电压。将所述设置电压与所述检测电压相比较,以对所述交叉点阵列中存储的数据执行逻辑运算。还提供了一种用于执行非易失性存储器阵列逻辑的系统。
搜索关键词: 非易失性存储器 阵列 逻辑
【主权项】:
1.一种用于在电阻式非易失性交叉点存储器阵列中实施布尔逻辑运算的方法,包括:通过选择所述交叉点存储器阵列中的参考行和列来选择所述布尔逻辑运算,并且将预置/重置值输入至检测电路中的放大器;将输入电压施加至所述参考行,以产生设置电压;将所述设置电压存储在所述检测电路中的存储元件中;选择与所述交叉点存储器阵列中的所选择的列交叉的数据行,在所述交叉点存储器阵列中,在所选择的数据行和所选择的列的交叉处的交叉点器件存储待由所述布尔逻辑运算进行运算的数据值;将所述输入电压施加至所选择的数据行,以产生检测电压;利用比较器将所述检测电压与所述设置电压相比较;如果所述检测电压与所述设置电压不同,从所述比较器输出电压脉冲;如果未产生电压脉冲,则从所述放大器向锁存器输出所述预置/重置值;以及如果产生电压脉冲,则利用所述放大器接受所述电压脉冲、修改所述预置/重置值、以及随后将所修改的预置/重置值输出至所述锁存器。
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