[发明专利]形成本地化的绝缘体上硅鳍式场效应晶体管的方法和结构有效
| 申请号： | 201380057762.9 | 申请日： | 2013-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN104769722B | 公开（公告）日： | 2017-07-04 |
| 发明（设计）人： | 程慷果;V·S·巴斯克;B·B·多里斯;A·卡基菲鲁兹;K·里姆 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人： | 牛南辉,于静 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 披露了形成本地化绝缘体上硅(SOI)finFET 104的方法和结构。在块型衬底102上形成鳍。氮化物间隔物208保护鳍的侧壁。在鳍上沉积浅沟槽隔离区域412。氧化工艺使得氧通过浅沟槽隔离区域412扩散到下方的硅中。氧与硅反应生成氧化物，其为鳍提供电隔离。浅沟槽隔离区域与鳍和/或鳍上所沉积的氮化物间隔物直接物理接触。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 本地化 绝缘体 上硅鳍式 场效应 晶体管 方法 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：半导体衬底；布置在所述半导体衬底上的第一鳍；在所述第一鳍的基部形成的氧化区域；以及被形成为与所述第一鳍在其基部相邻并且物理接触的浅沟槽隔离区域，其中所述浅沟槽隔离区域在所述第一鳍的顶部的水平之下，所述第一鳍包括位于第一鳍的基部的具有V‑形轮廓的氧化区域。
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