[发明专利]用于形成包含砷掺杂剂的基底的溶液配方和方法有效
申请号: | 201380057792.X | 申请日: | 2013-11-05 |
公开(公告)号: | CN104781909B | 公开(公告)日: | 2019-02-05 |
发明(设计)人: | S.E.霍赫斯特勒;K.D.波拉;L.S.穆迪;P.B.麦肯兹;刘俊佳 | 申请(专利权)人: | 慧盛材料美国有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/04 | 分类号: | H01L21/04;C07F9/80;C07F9/78;C07F9/68 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 马蔚钧;李炳爱 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 描述了用于形成包含掺杂剂的基底的溶液配方和方法。在具体实施方案中,该掺杂剂可包含砷(As)。在一个实施方案中,提供了包含溶剂和掺杂剂的掺杂剂溶液。在一个特定实施方案中,该掺杂剂溶液可具有至少大致等于能够致使基底表面处的原子连接到掺杂剂溶液的含砷化合物上的最低温度的闪点。在一个实施方案中,基底表面处的多个硅原子共价键合到该含砷化合物上。 | ||
搜索关键词: | 用于 形成 包含 掺杂 基底 溶液 配方 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于形成包含砷掺杂剂的基底的方法,其包括:制备包含掺杂剂和溶剂的溶液,所述掺杂剂包含含砷化合物;和使基底与所述溶液接触,其中所述溶液的闪点等于或高于能够在不多于2.5小时的持续时间内致使所述基底的至少一部分原子与所述溶液的含砷化合物之间形成连接的最低温度,所述溶液的闪点在50℃至115℃的范围内,其中所述含砷化合物包括有机砷化合物,并且使基底与所述溶液接触包括使所述有机砷化合物共价键合到位于所述基底表面的多个硅原子中的至少一部分上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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