[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201380057853.2 | 申请日： | 2013-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN104769708A | 公开（公告）日： | 2015-07-08 |
| 发明（设计）人： | 大仓康嗣 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/8234;H01L27/088;H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 高迪 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体装置具备：并列设置了多个栅极电极(26)的半导体基板(12)，形成于所述半导体基板(12)上的多个栅极布线(38)，多个栅极焊盘(36)，第1焊盘(32)以及第2焊盘(40)。相邻的所述栅极电极(26)规定多个单元(42)，所述多个单元(42)包含多个晶体管单元(44)。所述多个栅极电极(26)由所述多个栅极布线(38)区分成多个种类。所述多个晶体管单元(44)由规定的所述栅极电极(26)的组合被区分成多个种类。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具备：半导体基板(12)，具有第1面(12a)、以及在厚度方向上位于与所述第1面(12a)相反的第2面(12b)，并具备在与所述厚度方向正交的第1方向上并列设置的多个栅极电极(26)，相邻的所述栅极电极(26)规定多个单元(42)，所述多个单元(42)包含多个晶体管单元(44)；多个栅极布线(38)，形成于所述半导体基板(12)的所述第1面(12a)上，且与所述多个栅极电极(26)电连接；多个栅极焊盘(36)，形成于所述半导体基板(12)的所述第1面(12a)上，且经由所述多个栅极布线(38)与所述多个栅极电极(26)电连接；第1焊盘(32)，形成于所述半导体基板(12)的所述第1面(12a)上，通用于所述多个晶体管单元(44)；以及第2焊盘(40)，形成于所述半导体基板(12)的所述第1面(12a)或所述第2面(12b)上，通用于所述多个晶体管单元(44)，相互电区分的所述多个栅极布线(38)分别连接于所述多个栅极焊盘(36)，所述多个栅极电极(26)由所述多个栅极布线(38)电区分成多个种类，所述多个晶体管单元(44)由被规定的所述栅极电极(26)的组合被区分成多个种类。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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