[发明专利]阴极活性物质、导电性组合物、阴极材料、阴极结构体及二次电池以及它们的制造方法有效

专利信息
申请号: 201380058301.3 申请日: 2013-12-27
公开(公告)号: CN104781958B 公开(公告)日: 2019-03-29
发明(设计)人: 川上总一郎;李柱明;郑现珠;张东圭 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01M4/38 分类号: H01M4/38;H01M4/583;H01M4/62;H01M4/04
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 张波
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种二次电池用阴极活性物质、二次电池用导电性组合物、包括该阴极活性物质和该导电性组合物的阴极材料、包括该阴极材料的阴极结构体及二次电池以及它们的制造方法。本发明的特征在于,包括:硅粒子;和形成于上述硅粒子的表面的非晶质表面层。根据本发明,阴极结构由硅粒子与碳或锂离子固体电解质的复合体形成,并且硅粒子的氧含量较低,从而抑制硅粒子的聚集,因而在将上述阴极结构用于阴极的情况下,锂二次电池等蓄电设备能够具有高能量密度、高输出密度和更长的充放电周期寿命的性能。
搜索关键词: 二次 电池 阴极 活性 物质 导电性 组合 包括 材料 结构 以及 它们 制造 方法
【主权项】:
1.一种二次电池用阴极活性物质,其包括包含硅粒子、碳和锂离子无机固体电解质粒子的硅‑碳复合体,其中所述碳和所述锂离子无机固体电解质粒子与所述硅粒子接触,其中所述碳包括选自由石墨烯结构碳粒子、纤维状碳和碳黑构成的组中的一种以上,其中所述石墨烯结构碳粒子的平均粒径为300nm~10μm,所述纤维状碳的平均直径为10~200nm,所述碳黑具有被连接成念珠状的结构的一次粒子,所述一次粒子的平均粒径为10~80nm,和所述一次粒子的晶体尺寸为2~5nm,和所述硅粒子的平均粒径为5~200nm,和在所述硅粒子的表面上有厚度为1~10nm的非晶质表面层,且其中所述非晶质表面层包括非晶质碳。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201380058301.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top