[发明专利]用于CIGS光伏器件的钼基材在审
| 申请号： | 201380058658.1 | 申请日： | 2013-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN104813482A | 公开（公告）日： | 2015-07-29 |
| 发明（设计）人： | 崇岩桥;林军;斯蒂芬·怀特莱格;刘祖刚;卡里·艾伦;斯图尔特·斯塔布斯;保罗·柯卡姆 | 申请（专利权）人： | 纳米技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/0392;H01L31/0749 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 柳春琦 |
| 地址： | 英国曼*** | 国省代码： | 英国;GB |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述了光伏(PV)器件和制造其的基于溶液的方法。PV器件包括在钼基材上形成的CIGS型吸收剂层。钼基材包括紧邻吸收剂层的低密度钼层。已经发现紧邻吸收剂层的低密度钼的存在促进了吸收剂层中CIGS型半导体材料的大晶粒的生长。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 cigs 器件 基材 | ||
【主权项】：
一种结构体，所述结构体包括：载体；第一低密度钼层；以及光吸收材料的层，所述光吸收材料的层安置在所述低密度钼上并且紧邻所述低密度钼。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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