[发明专利]荧光体、发光元件及照明装置有效
| 申请号： | 201380059042.6 | 申请日： | 2013-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN104797684A | 公开（公告）日： | 2015-07-22 |
| 发明（设计）人： | 江本秀幸 | 申请（专利权）人： | 电气化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C09K11/64 | 分类号： | C09K11/64;C09K11/08;C09K11/80;F21S2/00;F21V3/00;F21V3/04;F21V9/16;H01L33/50;F21Y101/02 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 王达佐;何可 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供含有Li固溶的α-SiAlON荧光体，其中Li+制备成形成固溶，以稳定该结构，与现有技术的荧光体相比，所述荧光体具有优异的发光效率；还提供发光元件以及照明装置。对于含有Eu活化的Li固溶的α-SiAlON，晶格常数a为0.7820nm至0.7835nm，晶格常数c为0.5645nm至0.5670nm，氧含量为0.4质量％至1.2质量％，并且铕含量为0.3质量％至1.2质量％，并且当用峰值波长为450nm至460nm的单色光激发时，荧光谱的峰值波长为580nm至595nm。 | ||
| 搜索关键词： | 荧光 发光 元件 照明 装置 | ||
【主权项】：
Eu活化的Li固溶的α‑SiAlON的荧光体，其晶格常数a为0.7820nm至0.7835nm，晶格常数c为0.5645nm至0.5670nm，氧含量为0.4质量％至1.2质量％，并且铕(Eu)含量为0.3质量％至1.2质量％，当用峰值波长为450nm至460nm的单色光激发时，所述荧光体发射在荧光谱中峰值波长为580nm至595nm的光。
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