[发明专利]多结太阳能电池无效
| 申请号： | 201380059909.8 | 申请日： | 2013-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN104813485A | 公开（公告）日： | 2015-07-29 |
| 发明（设计）人： | 丹尼尔·德卡克斯;丽贝卡·琼斯-艾伯特斯;维基特·萨博尼斯;费伦·苏阿雷兹 | 申请（专利权）人： | 太阳结公司 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04;H01L31/043;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 王达佐;刘铮 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了主要由III-V半导体合金形成的高效率多结太阳能电池及制造高效率多结太阳能电池的方法。多结太阳能电池包括：具有一个或多个子电池的第一组；以及具有一个或多个子电池的第二组，其中所述一个或多个子电池中每个均与第二基底进行点阵匹配；其中所述具有一个或多个子电池的第二组结合至所述具有一个或多个子电池的第一组；所述多结太阳能电池包括至少三个子电池；以及所述至少三个子电池中至少之一包括基础层，所述基础层包括具有周期表上IIIA族、IV族以及VA族中的元素的合金。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种多结太阳能电池，包括：具有一个或多个子电池的第一组；以及具有一个或多个子电池的第二组，其中所述一个或多个子电池中每个均与第二基底进行点阵匹配；其中：所述具有一个或多个子电池的第二组结合至所述具有一个或多个子电池的第一组；所述多结太阳能电池包括至少三个子电池；以及所述至少三个子电池中至少之一包括基础层，所述基础层包括具有周期表上IIIA族、IV族以及VA族中的元素的合金。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
