[发明专利]半导体器件在审
申请号: | 201380060012.7 | 申请日: | 2013-12-20 |
公开(公告)号: | CN104798194A | 公开(公告)日: | 2015-07-22 |
发明(设计)人: | 盐田裕基;山竹厚;菅健一;山口义弘;上田哲也 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L23/12 | 分类号: | H01L23/12;H01L23/36 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 金光华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 得到散热性提高并且绝缘性提高的半导体器件。半导体器件具备:半导体元件(2);引线框(4),半导体元件(2)与该引线框的一个面接合;第1绝缘层(5),配置于引线框(4)的另一个面;以及金属基体板(6),隔着所述第1绝缘层(5)而与引线框(4)连接,其中,所述第1绝缘层的外周部比所述金属基体板的外周部靠内部,包括引线框(4)的外周部的电场集中部位的所述第1绝缘层(5)的外周部被具有比所述第1绝缘层(5)更高耐湿性和更高绝缘性的第2绝缘层(7)覆盖。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
【主权项】:
一种半导体器件,具备:半导体元件;引线框,所述半导体元件与所述引线框的一个面接合;第1绝缘层,配置于所述引线框的另一个面;以及金属基体板,隔着所述第1绝缘层而与所述引线框连接,其特征在于,所述第1绝缘层的外周部比所述金属基体板的外周部靠内部,包括所述引线框的外周部的电场集中部位在内的所述第1绝缘层的外周部被具有比所述第1绝缘层更高耐湿性和更高绝缘性的第2绝缘层覆盖。
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