[发明专利]半导体元件搭载用基板及其制造方法

摘要

提供一种通过电极层的剖面形状为大致逆梯形形状、并且侧面形成为粗化面而提高了电极层和树脂的紧贴性的半导体元件搭载用基板及其制造方法。半导体元件搭载用基板的制造方法，其特征在于，依次经由下述工序：a)，在金属板表面，通过主要的感光波长不同的抗蚀剂，形成由下抗蚀剂层和上抗蚀剂层构成的2层抗蚀剂层的工序；b)在下抗蚀剂层未曝光状态下，按照预定图案使上抗蚀剂层曝光的工序；c)显影工序，在上抗蚀剂层中形成预定图案的开口部，在未曝光状态的下抗蚀剂层中，按照该预定图案，形成开口部，部分性地露出金属板表面；d)使下抗蚀剂层曝光而硬化的工序；e)向从下抗蚀剂层露出了的金属板表面的预定镀敷层的形成工序；f)将下抗蚀剂层和上抗蚀剂层这2层抗蚀剂层全部剥离的工序；以及g)使在e)工序中形成了的镀敷层侧面粗化的工序。

主权项

一种半导体元件搭载用基板的制造方法，其特征在于，依次经过下述(a)～(g)的工序：(a)在金属板的表面，使用将各自不同的波长设计成主要的感光波长的2种抗蚀剂，形成由下抗蚀剂层和上抗蚀剂层这2层构成的抗蚀剂层的工序；(b)在所述下抗蚀剂层未曝光的状态下，按照预定图案对所述上抗蚀剂层进行曝光的工序；(c)显影工序，在所述上抗蚀剂层中形成预定图案的开口部，从所述开口部，针对未曝光状态的所述下抗蚀剂层，通过所述上抗蚀剂层的图案来形成开口部而部分性地露出所述金属板的表面；(d)对所述下抗蚀剂层进行曝光而使得硬化的工序；(e)在从所述下抗蚀剂层露出了的所述金属板的表面，形成预定的镀敷层的工序；(f)剥离包括由所述下抗蚀剂层和上抗蚀剂层这2层构成的抗蚀剂层在内的所有抗蚀剂层的工序；以及(g)使在所述(e)的工序中形成了的镀敷层的侧面粗化的工序。