[发明专利]半导体加工装置以及半导体加工方法有效

专利信息
申请号: 201380060482.3 申请日: 2013-11-19
公开(公告)号: CN105103049B 公开(公告)日: 2019-05-14
发明(设计)人: P·林德纳 申请(专利权)人: EV集团E·索尔纳有限责任公司
主分类号: G03F7/00 分类号: G03F7/00;G03F7/20;G03F1/64
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 朱君;刘春元
地址: 奥地利圣*** 国省代码: 奥地利;AT
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摘要: 发明涉及具有用于支撑带有平板平面的平板的支撑部件的半导体加工装置,所述平板平面具有a)具有平坦度的功能区域(4)、b)至少以分段方式围绕功能区域(4)的支撑区域(5)以及c)布置在功能区域(4)的外部和支撑区域(5)的外部的加载区域(6),其中支撑部件(2、2′、2″、2″′、2IV)构造为在支撑区域(5)中支撑平板(1)并且其中加载部件是能够这样控制的,使得通过功能区域(4)的变形能够调整和/或能够改变和/或能够影响和/或能够调节平坦度,其特征在于,加载部件包括至少一个真空区域(7),所述真空区域允许在支撑区域(5)中平板(1)的变形。此外本发明涉及相应的方法。
搜索关键词: 半导体 加工 装置 以及 方法
【主权项】:
1.一种半导体加工装置,所述半导体加工装置具有用于支撑带有平板平面的平板(1)的支撑部件(2、2'、2''、2'''、2),所述平板(1)具有a)具有平坦度的功能区域(4),以及b)至少以分段方式围绕所述功能区域(4)的支撑区域(5),其中所述支撑部件(2、2'、2''、2'''、2)构造为在支撑区域(5)中支撑所述平板(1)并且其中加载部件能够这样控制,使得通过所述功能区域(4)的变形能够调整和/或能够改变和/或能够影响和/或能够调节平坦度,其特征在于,所述加载部件包括至少一个真空区域(7),所述真空区域允许所述平板(1)在所述支撑区域(5)中的变形,其中所述加载部件适用于通过在加载区域的法向压力来补偿所述平板(1)的不对称和/或扭曲,其中所述加载部件和所述支撑部件(2、2'、2''、2'''、2)位于所述平板(1)的相同侧上。
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