[发明专利]纳米级结构上的外延膜有效
| 申请号： | 201380060586.4 | 申请日： | 2013-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN104813443B | 公开（公告）日： | 2017-11-14 |
| 发明（设计）人： | B·舒-金;V·H·勒;R·S·周;S·达斯古普塔;G·杜威;N·戈埃尔;J·T·卡瓦列罗斯;M·V·梅茨;N·慕克吉;R·皮拉里塞泰;W·拉赫马迪;M·拉多萨夫列维奇;H·W·田;N·M·泽利克 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 陈松涛,王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施例包括外延层，所述外延层以容许所述层弛豫两个自由度或三个自由度的方式直接接触例如纳米线、鳍和柱。所述外延层可以包括在晶体管的沟道区中。可以去除纳米线、鳍或柱，以更易于接近外延层。这样做可以容许“环绕式栅极”结构，其中，栅极围绕外延层的顶部、底部和侧壁。本文还描述了其它实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 结构 外延 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：鳍结构，所述鳍结构具有第一晶格常数和顶部以及从所述顶部向衬底延伸的相对的侧壁部分；以及外延(EPI)层，所述外延(EPI)层具有与所述第一晶格常数不同的第二晶格常数，所述外延(EPI)层形成于所述顶部和所述侧壁部分中的一个上；其中，所述EPI层包括IV族材料和III‑V族材料中的一种，并且所述鳍结构包括Si。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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