[发明专利]包含TiN‑X中间层的磁堆有效
| 申请号： | 201380060675.9 | 申请日： | 2013-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN105027202B | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 李慧慧;G·具;彭应国;J·陈 | 申请（专利权）人： | 希捷科技有限公司;新加坡国立大学 |
| 主分类号： | G11B5/73 | 分类号： | G11B5/73 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 乐洪咏,沙永生 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 磁堆包含基片、磁性记录层和位于基片与磁性记录层之间的TiN‑X层。在TiN‑X层中，X是包含MgO、TiO、TiO2、ZrN、ZrO、ZrO2、HfN、HfO、AlN和Al2O3中至少一种的掺杂剂。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 tin 中间层 | ||
【主权项】：
一种堆，包含：基片；磁性记录层；以及位于所述基片与所述磁性记录层之间的TiN‑X层，其中X是掺杂剂，其中，X是含量大于0体积％且小于或等于约40体积％的TiOx或含量大于0且小于或等于约30体积％的ZrOx，TiN‑X层包含具有TiN‑X和TiN晶粒中的至少一种的两相晶粒层，且其中，至少一些掺杂剂位于TiN‑X层的晶粒之间的晶粒边界。
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