[发明专利]具有提升辐射抗扰度的集成电路在审

专利信息
申请号: 201380060831.1 申请日: 2013-11-25
公开(公告)号: CN104885220A 公开(公告)日: 2015-09-02
发明(设计)人: 普拉佛·贾恩;詹姆士·卡普;麦克·J·哈特 申请(专利权)人: 吉林克斯公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L27/11;G11C11/412
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 许静;安利霞
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 描述具有提升辐射抗扰度的集成电路。所述集成电路包括衬底;形成于所述衬底上且具有存储器单元的N型晶体管的P阱;及形成于所述衬底上且具有所述存储器单元的P型晶体管的N阱;其中所述N阱具有用于容纳所述P型晶体管的最小尺寸。
搜索关键词: 具有 提升 辐射 抗扰度 集成电路
【主权项】:
一种具有提升辐射抗扰度的集成电路,所述集成电路包括:衬底;形成于所述衬底上且具有存储器单元的具有冗余节点的N型晶体管的P阱;及形成于所述衬底上且具有所述存储器单元的P型晶体管的N阱;其中与第一对节点相关联的N型晶体管由与第二对节点相关联的N型晶体管分离。
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