[发明专利]具有提升辐射抗扰度的集成电路在审
申请号: | 201380060831.1 | 申请日: | 2013-11-25 |
公开(公告)号: | CN104885220A | 公开(公告)日: | 2015-09-02 |
发明(设计)人: | 普拉佛·贾恩;詹姆士·卡普;麦克·J·哈特 | 申请(专利权)人: | 吉林克斯公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L27/11;G11C11/412 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;安利霞 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 描述具有提升辐射抗扰度的集成电路。所述集成电路包括衬底;形成于所述衬底上且具有存储器单元的N型晶体管的P阱;及形成于所述衬底上且具有所述存储器单元的P型晶体管的N阱;其中所述N阱具有用于容纳所述P型晶体管的最小尺寸。 | ||
搜索关键词: | 具有 提升 辐射 抗扰度 集成电路 | ||
【主权项】:
一种具有提升辐射抗扰度的集成电路,所述集成电路包括:衬底;形成于所述衬底上且具有存储器单元的具有冗余节点的N型晶体管的P阱;及形成于所述衬底上且具有所述存储器单元的P型晶体管的N阱;其中与第一对节点相关联的N型晶体管由与第二对节点相关联的N型晶体管分离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的