[发明专利]存储元件和存储装置

摘要

本发明提供了一种能够实现低电流写入时中间电阻保持性能提高的存储元件和存储装置。本发明还提供了一种能够实现随机电报噪声降低的存储元件和存储装置。根据本技术的一个实施方案是按顺序包括第一电极、存储层和第二电极的存储元件，所述存储层设置有：离子源层，所述离子源层含有选自碲(Te)、硫(S)和硒(Se)中的至少一种硫族元素以及选自元素周期表的第4、5和6族的过渡金属元素中的至少一种过渡金属元素；和电阻变化层，所述电阻变化层含有硼(B)和氧(O)。根据本技术的另一个实施方案是按顺序包括第一电极、存储层和第二电极的存储元件，所述存储层设置有：上述的离子源层；和电阻变化层，所述电阻变化层含有选自元素周期表的第4、5和6族的过渡金属元素中的至少一种过渡金属元素和氧(O)。

主权项

一种按顺序设置有第一电极、存储层和第二电极的存储元件，所述存储层包括：离子源层，所述离子源层含有选自碲(Te)、硫(S)和硒(Se)中的一种或多种硫族元素以及选自元素周期表的第4族元素、第5族元素和第6族元素中的一种或多种过渡金属元素；和电阻变化层，所述电阻变化层含有硼(B)和氧(O)。