[发明专利]用于金属-导电氧化物-金属(MCOM)存储器元件的垂直交叉点嵌入式存储器架构

摘要

本发明描述了用于金属‑导电氧化物‑金属(MCOM)存储器元件的垂直交叉点嵌入式存储器架构。例如，存储器阵列包括衬底。多条水平字线设置在所述衬底上方的平面中。多条垂直位线设置在所述衬底上方并且被插入有所述多条水平字线，以在所述多条水平字线中的水平字线与所述多条垂直位线中的垂直位线之间提供多个交叉点。多个存储器元件设置在所述衬底上方的所述平面中，一个存储器元件设置在所述交叉点的对应的字线与位线之间的每个交叉点处。

主权项

1.一种存储器阵列，包括：衬底；多条水平字线，所述多条水平字线设置在所述衬底上方的平面中；多条垂直位线，所述多条垂直位线设置在所述衬底上方并且被插入有所述多条水平字线，以在所述多条水平字线中的水平字线与所述多条垂直位线中的垂直位线之间提供多个交叉点；多个存储器元件，所述多个存储器元件设置在所述衬底上方的所述平面中，一个存储器元件仅设置在所述交叉点的对应的字线与位线之间的每个交叉点处；以及选择器层，所述选择器层与所述存储器元件串联放置，并且所述选择器层仅设置在对应的位线与存储器元件之间的每个交叉点处，所述选择器层包括非导电硫族化物层。