[发明专利]用于确定结构的光刻品质的光刻方法和设备无效
| 申请号： | 201380062245.0 | 申请日： | 2013-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN104919372A | 公开（公告）日： | 2015-09-16 |
| 发明（设计）人： | W·J·格鲁特吉恩斯;M·加西亚格兰达;J·克里斯特;H·麦根斯;徐路 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G01N21/47;G01N21/956 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴敬莲 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种确定通过使用例如光栅等周期图案的光刻过程产生的结构的光刻品质的方法检测光刻过程窗口边缘并优化过程条件。方法的步骤为：602：通过使用光栅图案的光刻过程印刷结构；604：选择第一特性，例如偏振方向，用于照射；606：用具有第一特性的入射辐射照射该结构；608：检测散射辐射：610：选择第二特性，例如不同的偏振方向，用于照射；612：用具有第二特性的入射辐射照射该结构；614：检测散射辐射；616：旋转一个或多个角度分辨光谱以排列偏振，由此校正不同偏振取向；618：确定测量的角度分辨光谱之间的差；和620：使用确定的差确定结构的光刻品质的值。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 确定 结构 光刻 品质 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种确定通过使用衬底上的周期图像的构形的光刻过程处理的第一结构的光刻品质的方法，所述方法包括步骤：(a)用具有第一特性的入射辐射照射第一结构；(b)测量被第一结构散射的辐射的强度；(c)使用所测量的强度执行对比；和(d)使用对比的结果确定第一结构的光刻品质的值。
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