[发明专利]抗蚀膜、导电膜、PTFE膜、荧光体成膜、以及绝缘膜的 形成装置及其方法有效
| 申请号： | 201380062908.9 | 申请日： | 2013-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN105493233B | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 小林一彦;须田圭祐 | 申请（专利权）人： | 山田尖端科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;B05B5/025;B29C33/58;B29C33/72 |
| 代理公司： | 11219 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 高培培;车文<国际申请>=PCT/JP2 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种使用了能够在工件上形成均匀且薄的薄膜的静电喷雾装置的抗蚀膜形成装置。抗蚀膜形成装置(100)是通过静电喷雾在基板上形成抗蚀膜(108)的抗蚀膜形成装置，具有：喷嘴(102)，通过被施加规定的电压，而将作为抗蚀膜(108)的原料的液剂的粒子(131)朝向具有台阶部(105a)的基板(105)喷雾；驱动单元(111)，使基板(105)或喷嘴(102)相对地移动；及控制单元(110)，以使用液剂的粒子在具有台阶部(105a)的基板(105)上形成抗蚀膜(108)的方式进行控制。 | ||
| 搜索关键词： | 抗蚀膜 基板 形成装置 喷嘴 台阶部 粒子 静电喷雾装置 静电喷雾 驱动单元 使用液 喷雾 液剂 薄膜 施加 移动 | ||
【主权项】：
1.一种抗蚀膜形成装置，通过静电喷雾在基板上形成抗蚀膜，其特征在于，具有：/n喷嘴，通过被施加规定的电压，将作为所述抗蚀膜的原料的液剂的粒子朝向具有台阶部的所述基板喷雾；/n驱动单元，在进行静电喷雾的过程中使所述基板或所述喷嘴在面内方向以及高度方向上相对地移动；/n控制单元，以使用所述液剂的粒子在具有所述台阶部的所述基板上形成所述抗蚀膜的方式进行控制；/n相机，观察所述液剂的粒子的涂敷状态，/n所述控制单元根据所述相机的观察结果来控制所述喷嘴的位置。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
