[发明专利]具有过渡金属缓冲层的包含纳米线电子器件、至少一个纳米线的生长方法以及器件制造方法有效
| 申请号： | 201380063090.2 | 申请日： | 2013-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN104904016B | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | B·伊尔特;B·阿马斯塔特;M-F·阿曼德;F·都彭特 | 申请（专利权）人： | 原子能及能源替代委员会;阿勒迪亚公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L21/02;H01L29/66;H01L29/06;H01L29/41;B82Y10/00;B82Y40/00;H01L33/00;H01L33/12;H01L33/20;C30B29/40;C30B29/60;C30B29/16 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 张力更 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种电子器件，包含衬底(1)、至少一个半导体纳米线(2)和介于该衬底(1)和所述纳米线(2)之间的缓冲层(3)。该缓冲层(3)至少部分地由从其延伸出纳米线(2)的氮化过渡金属层(9)形成，所述氮化过渡金属选自：氮化钒、氮化铬、氮化锆、氮化铌、氮化钼，氮化铪或氮化钽。 | ||
| 搜索关键词： | 配备 过渡 金属 缓冲 包含 纳米 电子器件 至少 一个 生长 方法 以及 器件 制造 | ||
【主权项】：
1.电子器件，包含衬底(1)、至少一个半导体纳米线(2)和介于该衬底(1)和所述纳米线(2)之间的缓冲层(3)，其特征在于该缓冲层(3)至少部分地由从其延伸出纳米线(2)的氮化过渡金属层(9)形成，所述氮化过渡金属选自：氮化钒、氮化铬、氮化锆、氮化铌、氮化钼，氮化铪或氮化钽，并且该缓冲层(3)是导电的，以允许该衬底(1)的至少一个导电部分与该纳米线(2)之间的电接触，其中该纳米线具有基本上垂直于衬底取向的纵向尺寸，其中该纳米线的纵向尺寸至少等于该纳米线的横向尺寸，并且该氮化过渡金属层(9)包含氮，所述氮在氮化过渡金属的稳定状态中的浓度在小于或等于10％的范围内变化。
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