[发明专利]半导体装置以及使用了该半导体装置的电力变换装置在审
| 申请号： | 201380063386.4 | 申请日： | 2013-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN104823281A | 公开（公告）日： | 2015-08-05 |
| 发明（设计）人： | 铃木弘;白石正树;渡邉聡;石丸哲也 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立功率半导体 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 金光华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题在于提供一种半导体装置，能够提高导通开关期间中的dv/dt的利用栅极驱动电路的控制性。具备多个沟槽栅群，该沟槽栅群包括相互邻接的3个以上的沟槽栅，相邻的2个沟槽栅群的间隔比在一个沟槽栅群中相邻的2个沟槽栅的间隔宽。由此，栅极-发射极间电容增大，所以能够提高导通开关期间中的dv/dt的利用栅极驱动电路的控制性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 使用 电力 变换 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：第1导电类型的第1半导体层；第2导电类型的第2半导体层，与所述第1半导体层邻接；第1导电类型的多个第3半导体层，与所述第2半导体层邻接；第2导电类型的多个第4半导体层，设置于所述第3半导体层的表面；多个沟槽栅，设置于以所述第3半导体层的表面为侧壁的多个沟槽内；第1主电极，与所述第1半导体层电连接；以及第2主电极，与多个所述第3半导体层和多个所述第4半导体层电连接，所述半导体装置还具备多个沟槽栅群，所述沟槽栅群包括相互邻接的3个以上的所述沟槽栅，相邻的2个所述沟槽栅群的间隔比在一个所述沟槽栅群中相邻的2个所述沟槽栅的间隔宽。
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