[发明专利]SOI晶圆的制造方法在审
| 申请号： | 201380064933.0 | 申请日： | 2013-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN104885190A | 公开（公告）日： | 2015-09-02 |
| 发明（设计）人： | 阿贺浩司;横川功;石塚徹 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 谢顺星;张晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种SOI晶圆的制造方法，从由半导体单晶基板构成的接合晶圆的表面，将氢气及稀有气体中一种以上的气体离子进行离子注入，形成离子注入层，在将该接合晶圆的进行过离子注入的表面与基底晶圆表面通过氧化膜进行贴合后，用热处理炉进行剥离热处理，在所述离子注入层剥离接合晶圆，由此制作SOI晶圆，在该SOI晶圆的制造方法中，在所述剥离热处理后，在以低于3.0℃/min的降温速度降温至250℃以下后，将剥离后的SOI晶圆及接合晶圆从热处理炉中取出。由此，提供一种能够制造擦痕及SOI膜厚异常被抑制的SOI晶圆的方法。 | ||
| 搜索关键词： | soi 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种SOI晶圆的制造方法，其从由半导体单晶基板构成的接合晶圆的表面，将氢气及稀有气体中一种以上的气体离子进行离子注入来形成离子注入层，在将该接合晶圆的进行过离子注入的表面与基底晶圆表面通过氧化膜进行贴合后，用热处理炉进行剥离热处理，在所述离子注入层剥离接合晶圆，由此制作SOI晶圆，其特征在于，在所述剥离热处理后，在以低于3.0℃/min的降温速度降温至250℃以下后，将剥离后的SOI晶圆及接合晶圆从热处理炉中取出。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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