[发明专利]结晶半导体膜的制造方法

摘要

一种结晶半导体膜的制造方法，在对非单晶半导体膜实施激光退火时，通过线射束形状的脉冲激光对非单晶半导体膜相对地扫描来按每一脉冲移动，并且通过照射次数n从而实施交叠照射，线射束的射束短轴宽度为100～500μm，且射束短轴方向的射束断面形状具有平坦部，晶体管的沟道长度为b，脉冲激光具有比通过该脉冲激光的照射而在非单晶半导体膜上发生微结晶化的照射脉冲能量密度低且能通过多次照射使结晶粒径成长达到饱和的照射脉冲能量密度，通过照射脉冲能量密度的脉冲激光的照射而使结晶粒径成长达到饱和时的照射次数为n0，照射次数n≥(n0‑1)，脉冲激光的扫描方向为所述晶体管的沟道长度方向，并且所述每一脉冲的移动量c＜b。 1

主权项

1.一种结晶半导体膜的制造方法，利用线射束形状的脉冲激光对非单晶半导体膜相对地进行扫描来按每一脉冲进行移动，并且通过照射次数n，从而对所述非单晶半导体膜实施交叠照射，所述线射束的射束短轴宽度为100～500μm，且射束短轴方向的射束断面形状具有平坦部，其特征在于，所述平坦部的能量强度为最大能量强度的96％以上，在所述交叠照射中，将所述平坦部以照射次数n照射于所述非单晶半导体膜，将在所述半导体膜上形成的晶体管的沟道长度、即b设为6～40μm，所述脉冲激光具有照射脉冲能量密度E，该照射脉冲能量密度E比通过该脉冲激光的平坦部的照射而在所述非单晶半导体膜上发生微结晶化的照射脉冲能量密度低，且能通过多次照射使结晶粒径成长达到饱和，通过所述照射脉冲能量密度E的脉冲激光的照射而使所述结晶粒径成长达到饱和时的照射次数为n0，所述脉冲激光的照射次数n为(n0‑1)以上，所述脉冲激光的扫描方向为所述晶体管的沟道长度方向，并且所述每一脉冲的移动量、即c小于b。