[发明专利]超高速均匀纳米粒子的生成喷嘴、生成装置及生成方法在审
| 申请号： | 201380065904.6 | 申请日： | 2013-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN104854682A | 公开（公告）日： | 2015-08-19 |
| 发明（设计）人： | 李振远;金忍号 | 申请（专利权）人： | 浦项工科大学校产学协力团 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B05B1/10 |
| 代理公司： | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人： | 朱健;陈国军 |
| 地址： | 韩国庆尚北道*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 根据本发明的超高速均匀纳米粒子的生成喷嘴、生成装置及生成方法，其作为将由二氧化碳形成的粒子生成气体通过喷嘴而生成超高速均匀纳米粒子，特征在于，包括：孔口，其用于调节所述喷嘴喉的开闭截面积，从而在没有额外的冷却装置的情况下诱导均匀的核生成；膨胀部，其越向所述喷嘴的出口侧截面积及膨胀角逐渐增大；并且通过比较平缓的第一膨胀部使所述核生长，从而促进粒子的生成，并且通过与第一膨胀部相比具有急剧的膨胀角的第二膨胀部，从而使生成的粒子加速。 | ||
| 搜索关键词： | 超高速 均匀 纳米 粒子 生成 喷嘴 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种超高速均匀纳米粒子的生成喷嘴，其作为将由二氧化碳形成的粒子生成气体通过而生成超高速均匀纳米粒子的喷嘴，特征在于，包括：膨胀部，其为截面积向喷嘴的出口侧逐渐变宽的形态；孔口，其置于所述膨胀部的入口并使所述粒子生成气体急速膨胀；所述膨胀部依次包括第一膨胀部及第二膨胀部而形成，所述第二膨胀部的平均膨胀角比所述第一膨胀部的膨胀角大。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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