[发明专利]用于减少含硅材料中二氧化硅消退的方法和系统有效
| 申请号： | 201380066451.9 | 申请日： | 2013-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN104995156B | 公开（公告）日： | 2018-08-07 |
| 发明（设计）人： | K.L.卢思拉 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | C04B41/80 | 分类号： | C04B41/80;F01D5/28 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 周李军;林森 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本公开涉及用于减少含硅陶瓷或含硅陶瓷复合物的二氧化硅消退的方法和和系统，特别是暴露于燃烧气体或燃烧气体环境的那些，包括暴露于高温燃烧气体环境的那些。所述方法和系统包括由压缩空气去除水分，然后将处理过的压缩空气与燃烧气体共混合，使含硅陶瓷或含硅陶瓷复合物对其暴露。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 减少 材料 二氧化硅 消退 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.减少二氧化硅消退的方法，其包含：将含硅陶瓷暴露于高温燃烧气体环境；和将所述含硅陶瓷的目标表面与除湿气体混合物接触，从而减少所述目标表面的二氧化硅消退，其中所述除湿气体混合物包含用有效从压缩空气去除水分的水分去除剂处理过的压缩空气；所述方法还进一步包含：在接近所述目标表面的位置将硅注入压缩空气中，其中在将所述压缩空气除湿之前、之后或之前和之后两种情况下，将所述硅注入压缩空气。
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