[发明专利]集成MRAM高速缓存模块在审
| 申请号： | 201380066504.7 | 申请日： | 2013-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN104871248A | 公开（公告）日： | 2015-08-26 |
| 发明（设计）人： | X·董;J·P·金;J·徐 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;G06F12/08;G11C15/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 袁逸 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用于集成式磁阻随机存取存储器(MRAM)模块的系统和方法。集成电路包括集成在第一芯片上的没有末级高速缓存的处理器、集成在第二芯片上的包括MRAM末级高速缓存和MRAM主存储器的MRAM模块，其中该MRAM模块是制造为单片封装或多个封装的统一结构。第二封装进一步包括存储器控制器逻辑。简化的接口结构配置成耦合第一和第二封装。该MRAM模块设计成实现高速度、高数据保持性、MRAM末级高速缓存与MRAM主存储器之间的进取式预取、改进的页处置、以及改进的可伸缩性。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 mram 高速缓存 模块 | ||
【主权项】：
一种集成电路，包括：处理器；磁阻随机存取存储器(MRAM)模块，其包括MRAM末级高速缓存和MRAM主存储器；以及接口，其耦合所述处理器与所述MRAM模块。
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