[发明专利]双向形状记忆聚合物,其生产方法和应用在审

专利信息
申请号: 201380067418.8 申请日: 2013-12-20
公开(公告)号: CN104884509A 公开(公告)日: 2015-09-02
发明(设计)人: 马克·贝尔;卡尔·克拉茨;乌尔里希·诺切尔;蒂尔曼·萨德;约尔格·措茨曼;斯里尼瓦桑·雷迪·恰加纳提;安德鲁·蓝德莱 申请(专利权)人: 亥姆霍兹中心盖斯特哈赫特材料及海岸研究中心有限公司
主分类号: C08J3/24 分类号: C08J3/24;B29C61/00
代理公司: 上海弼兴律师事务所 31283 代理人: 薛琦
地址: 德国盖斯*** 国省代码: 德国;DE
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种由双向形状记忆聚合物(bSMP)组成或者包含双向形状记忆聚合物的产品,该bSMP包含:第一相分离区域(AD)、第二相分离区域(SD)和交联该bSMP的聚合物链的共价键或物理键;其中,第一相分离区域(AD)具有一第一转变温度(Tt,AD),其对应于第一区域(AD)的结晶化转变或玻璃化转变;第二相分离区域(SD)具有一第二转变温度(Tt,SD),其对应于第二区域(SD)的结晶化转变或玻璃化转变,所述的第二转变温度(Tt,SD)高于所述的第一转变温度(Tt,AD);所述的第一和第二区域(AD,SD)通过共价或物理交联的方式相互连接,其中,所述第二相分离区域(SD)形成一个至少有一部分嵌入到所述第一相分离区域(AD)的骨架,其中,形成第一区域(AD)的bSMP的聚合物链实质上是沿同一个方向取向,这样bSMP就能在所述第一和第二温度(Thigh,Tlow)间的温度变化范围内,在第一温度(Thigh)下的第一形状(A)和第二温度(Tlow)下的第二形状(B)之间进行可逆的形变,该可逆形变是在无外部应力施加下由所述第一相分离区域(AD)的结晶和熔融或者玻璃化和熔融驱动,并且Tlow<Tt,AD<Thigh<Tt,SD
搜索关键词: 双向 形状 记忆 聚合物 生产 方法 应用
【主权项】:
一种由双向形状记忆聚合物(bSMP)组成或者包含双向形状记忆聚合物(bSMP)的产品,所述的bSMP包括:‑具有一第一转变温度(Tt,AD)的第一相分离区域(AD),该第一转变温度(Tt,AD)对应于所述第一区域(AD)中的结晶化转变或玻璃化转变;‑具有一第二转变温度(Tt,SD)的第二相分离区域(SD),该第二转变温度(Tt,SD)对应于所述第二区域(SD)中的结晶化转变或玻璃化转变,所述的第二转变温度(Tt,SD)高于所述的第一转变温度(Tt,AD),以及‑交联所述bSMP的聚合物链的共价键或物理键,所述的第一和第二区域(AD,SD)以这种方式相互连接;其中,所述第二相分离区域(SD)形成一个至少有一部分嵌入到所述第一相分离区域(AD)的骨架,其中,形成所述第一区域(AD)的所述bSMP的聚合物链段实质上是沿同一个方向取向,这样所述bSMP就能在一第一和一第二温度(Thigh,Tlow)间的温度变化范围内,在所述第一温度(Thigh)下的一第一形状(A)和所述第二温度(Tlow)下的一第二形状(B)之间进行可逆的形变,所述可逆形变是在无外部应力施加下由所述第一相分离区域(AD)中的结晶和熔融或者玻璃化和熔融驱动,并且Tlow<Tt,AD<Thigh<Tt,SD
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于亥姆霍兹中心盖斯特哈赫特材料及海岸研究中心有限公司,未经亥姆霍兹中心盖斯特哈赫特材料及海岸研究中心有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201380067418.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top