[发明专利]双向形状记忆聚合物,其生产方法和应用在审
申请号: | 201380067418.8 | 申请日: | 2013-12-20 |
公开(公告)号: | CN104884509A | 公开(公告)日: | 2015-09-02 |
发明(设计)人: | 马克·贝尔;卡尔·克拉茨;乌尔里希·诺切尔;蒂尔曼·萨德;约尔格·措茨曼;斯里尼瓦桑·雷迪·恰加纳提;安德鲁·蓝德莱 | 申请(专利权)人: | 亥姆霍兹中心盖斯特哈赫特材料及海岸研究中心有限公司 |
主分类号: | C08J3/24 | 分类号: | C08J3/24;B29C61/00 |
代理公司: | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人: | 薛琦 |
地址: | 德国盖斯*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及一种由双向形状记忆聚合物(bSMP)组成或者包含双向形状记忆聚合物的产品,该bSMP包含:第一相分离区域(AD)、第二相分离区域(SD)和交联该bSMP的聚合物链的共价键或物理键;其中,第一相分离区域(AD)具有一第一转变温度(Tt,AD),其对应于第一区域(AD)的结晶化转变或玻璃化转变;第二相分离区域(SD)具有一第二转变温度(Tt,SD),其对应于第二区域(SD)的结晶化转变或玻璃化转变,所述的第二转变温度(Tt,SD)高于所述的第一转变温度(Tt,AD);所述的第一和第二区域(AD,SD)通过共价或物理交联的方式相互连接,其中,所述第二相分离区域(SD)形成一个至少有一部分嵌入到所述第一相分离区域(AD)的骨架,其中,形成第一区域(AD)的bSMP的聚合物链实质上是沿同一个方向取向,这样bSMP就能在所述第一和第二温度(Thigh,Tlow)间的温度变化范围内,在第一温度(Thigh)下的第一形状(A)和第二温度(Tlow)下的第二形状(B)之间进行可逆的形变,该可逆形变是在无外部应力施加下由所述第一相分离区域(AD)的结晶和熔融或者玻璃化和熔融驱动,并且Tlow<Tt,AD<Thigh<Tt,SD。 | ||
搜索关键词: | 双向 形状 记忆 聚合物 生产 方法 应用 | ||
【主权项】:
一种由双向形状记忆聚合物(bSMP)组成或者包含双向形状记忆聚合物(bSMP)的产品,所述的bSMP包括:‑具有一第一转变温度(Tt,AD)的第一相分离区域(AD),该第一转变温度(Tt,AD)对应于所述第一区域(AD)中的结晶化转变或玻璃化转变;‑具有一第二转变温度(Tt,SD)的第二相分离区域(SD),该第二转变温度(Tt,SD)对应于所述第二区域(SD)中的结晶化转变或玻璃化转变,所述的第二转变温度(Tt,SD)高于所述的第一转变温度(Tt,AD),以及‑交联所述bSMP的聚合物链的共价键或物理键,所述的第一和第二区域(AD,SD)以这种方式相互连接;其中,所述第二相分离区域(SD)形成一个至少有一部分嵌入到所述第一相分离区域(AD)的骨架,其中,形成所述第一区域(AD)的所述bSMP的聚合物链段实质上是沿同一个方向取向,这样所述bSMP就能在一第一和一第二温度(Thigh,Tlow)间的温度变化范围内,在所述第一温度(Thigh)下的一第一形状(A)和所述第二温度(Tlow)下的一第二形状(B)之间进行可逆的形变,所述可逆形变是在无外部应力施加下由所述第一相分离区域(AD)中的结晶和熔融或者玻璃化和熔融驱动,并且Tlow<Tt,AD<Thigh<Tt,SD。
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