[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201380067846.0 | 申请日： | 2013-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN104885230A | 公开（公告）日： | 2015-09-02 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;三宅博之;宍户英明;片山雅博;冈崎健一 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/1368;G09F9/30;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置包括：晶体管，该晶体管包括绝缘膜、氧化物半导体膜、与氧化物半导体膜重叠的栅电极以及与氧化物半导体膜接触的一对电极；电容器，该电容器包括在绝缘膜上的第一透光导电膜、在第一透光导电膜上的介电膜以及在介电膜上的第二透光导电膜；在晶体管的一对电极上的氧化绝缘膜；以及在氧化绝缘膜上的氮化绝缘膜。介电膜是氮化绝缘膜，氧化绝缘膜在一对电极之一上包括第一开口，氮化绝缘膜在一对电极之一上包括第二开口，且第二开口与第一开口相比是在内侧。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：晶体管，该晶体管包括：第一绝缘膜；在所述第一绝缘膜上的氧化物半导体膜；以及与所述氧化物半导体膜相邻的栅电极；电容器，该电容器包括：在所述第一绝缘膜上的第一透光导电膜；在所述第一透光导电膜上的氮化绝缘膜；以及在所述氮化绝缘膜上的第二透光导电膜；以及在所述氧化物半导体膜、所述栅电极以及所述第一透光导电膜上的氧化绝缘膜，其中，所述第二透光导电膜电连接到所述氧化物半导体膜，并且其中，所述氮化绝缘膜位于所述氧化绝缘膜上并与所述第一透光导电膜接触。
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