[发明专利]具有氮氧化硅电介质层的太阳能电池在审
| 申请号： | 201380068130.2 | 申请日： | 2013-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN105144396A | 公开（公告）日： | 2015-12-09 |
| 发明（设计）人： | 迈克尔·谢菲尔德;大卫·D·史密斯 | 申请（专利权）人： | 太阳能公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0236;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 顾丽波;井杰 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明描述了具有氮氧化硅电介质层的太阳能电池以及形成氮氧化硅电介质层用于太阳能电池制备的方法。例如，太阳能电池的发射极区包括基板部分，所述基板部分具有与光接收表面相对的背表面。氮氧化硅(SiOxNy，0<x,y)电介质层设置在所述基板部分的背表面上。半导体层设置在所述氮氧化硅电介质层上。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 氧化 电介质 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池的发射极区，所述发射极区包括：基板部分，其具有与正表面相对的背表面；氮氧化硅(SiOxNy，0<x,y)电介质层，所述电介质层设置在所述基板部分的背表面上，其中所述氮氧化硅电介质层具有不均匀分布的氮；以及半导体层，所述半导体层设置在所述氮氧化硅电介质层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
