[发明专利]等离子体装置和基板处理装置在审
| 申请号： | 201380068456.5 | 申请日： | 2013-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN104885575A | 公开（公告）日： | 2015-09-02 |
| 发明（设计）人： | 严胜焕;李基秀 | 申请（专利权）人： | 威特尔有限公司 |
| 主分类号： | H05H1/34 | 分类号： | H05H1/34;H05H1/46 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 曹正建;陈桂香 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种等离子体产生装置。所述等离子体产生装置包括：外围介电管，所述外围介电管围绕着距腔室的顶面的中心具有恒定半径的圆周以固定的间隔布置；外围天线，所述外围天线被布置为围绕所述外围介电管；上部磁体，所述上部磁体与所述外围介电管垂直地间隔开并且所述上部磁体布置在同一第一平面上；和下部磁体，所述下部磁体分别布置在位于所述上部磁体与所述外围介电管之间的同一第二平面上。所述上部磁体的中心轴与所述下部磁体的中心轴相一致并且等离子体形成在所述外围介电管的内部。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 装置 处理 | ||
【主权项】：
一种等离子体产生装置，其包括：外围介电管，所述外围介电管围绕着距腔室的顶面的中心具有恒定半径的圆周以固定的间隔布置；外围天线，所述外围天线被布置为围绕所述外围介电管；上部磁体，所述上部磁体与所述外围介电管垂直地间隔开并且所述上部磁体被布置在同一第一平面上；和下部磁体，所述下部磁体分别配置在位于所述上部磁体与所述外围介电管之间的同一第二平面上，其中，所述上部磁体的中心轴与所述下部磁体的中心轴彼此一致，并且等离子体产生于所述外围介电管的内部。
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