[发明专利]用于光子及电子结构的半导体衬底及制造方法

摘要

本发明提供一种形成具有适合于集成电子及光子装置的隔离区域的衬底的方法。使用共同中间掩模及光刻技术来制造界定用于在衬底中蚀刻第一及第二沟槽隔离区域的开口的掩模，其中用于所述第二沟槽隔离区域的所述开口比用于所述第一沟槽隔离区域的所述开口宽。通过所述掩模在所述衬底中蚀刻且用氧化物材料填充所述第一及第二沟槽隔离区域。从所述第二沟槽隔离区域的底部移除所述氧化物材料。将所述第二沟槽隔离区域进一步蚀刻为比所述第一沟槽隔离区域深，且接着用氧化物材料填充所述第二沟槽隔离区域。可在所述衬底上形成且由所述第一沟槽隔离区域电隔离电装置，且可在所述第二沟槽隔离区域上方形成光子装置且使所述光子装置与所述衬底光学上隔离。

主权项

1.一种在半导体衬底中形成具有不同深度的隔离区的方法，所述方法包括：在半导体衬底上方形成蚀刻掩模材料；在光刻过程中使用单一中间掩模来图案化所述蚀刻掩模材料以界定用于形成第一及第二沟槽隔离区域的第一及第二开口，所述第二开口比所述第一开口宽；使用所述经图案化的蚀刻掩模材料在所述半导体衬底中蚀刻第一及第二沟槽隔离区域；在所述第一及第二沟槽隔离区域中的每一者内形成隔离材料；在所述第二沟槽隔离区域的底部处移除所有隔离材料以暴露所述半导体衬底，同时在所述第一沟槽隔离区域中留下沟槽隔离材料；在所述第二沟槽隔离区域处进一步蚀刻所述经暴露的半导体衬底，使得所述第二沟槽隔离区域的深度超过所述第一沟槽隔离区域的深度；在所述较深的第二沟槽隔离区域内形成沟槽隔离材料；在所述衬底上形成由第一沟槽隔离区域电隔离的电子装置；及，在所述第二沟槽隔离区域内的所述沟槽隔离材料上方形成光子装置，使得所述光子装置与所述衬底光学上隔离。