[发明专利]基板加工设备有效
申请号: | 201380068883.3 | 申请日: | 2013-12-26 |
公开(公告)号: | CN105103269B | 公开(公告)日: | 2018-06-05 |
发明(设计)人: | 河闰圭;金圣国;金贤悟;朴一英 | 申请(专利权)人: | 无限股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 李琳;许向彤 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 公开了一种基板加工设备,其能防止等离子体放电被转移到基板上,从而使对基板的损伤最小化,并且也最小化了基板上沉积的薄膜质量的退化,其中,该设备可以包括:加工腔室,用于提供反应空间;以及气体分配模块,用于通过使用等离子体来解离工艺气并将解离的工艺气分配到基板上,其中该气体分配模块可包括具有多个电极插入部的下框架、具有多个突起电极和工艺气分配孔的上框架以及具有多个电极贯穿部的绝缘板。 | ||
搜索关键词: | 工艺气 基板 基板加工设备 气体分配模块 最小化 解离 等离子体 等离子体放电 电极插入部 反应空间 加工腔室 突起电极 电极 对基板 分配孔 绝缘板 上框架 下框架 沉积 薄膜 损伤 退化 贯穿 分配 | ||
【主权项】:
一种基板加工设备,包括:加工腔室,用于提供反应空间;设置在所述加工腔室上方的腔室盖;以及气体分配模块,用于通过使用等离子体来解离工艺气并将解离的工艺气分配到基板上,其中所述气体分配模块被设置在所述加工腔室中,其中,所述气体分配模块包括:下框架,具有多个电极插入部;上框架,具有多个突起电极和多个工艺气分配孔,所述多个突起电极分别插入到所述多个电极插入部中以提供间隙空间,并且所述多个工艺气分配孔形成在所述多个突起电极中以将所述工艺气分配到所述基板上;工艺气缓冲空间,设置在所述上框架与所述腔室盖之间,其中,所述工艺气缓冲空间与所述多个工艺气分配孔连通,并且所述多个工艺气分配孔穿过所述突起电极;多个稀释气分配孔,穿过所述上框架并且与所述突起电极的外围对应;以及绝缘板,所述绝缘板形成于所述下框架与所述上框架之间并具有多个电极贯穿部,其中穿过所述电极贯穿部的所述多个突起电极分别被插入到所述多个电极插入部中,其中,在所述间隙空间或突起电极的下部外围产生所述等离子体,其中,在所述基板和所述突起电极的每一个的下表面之间的间距与在所述基板和所述下框架的下表面之间的间距不同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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