[发明专利]导电图案的形成方法、导电膜、导电图案及透明导电膜在审
| 申请号： | 201380068899.4 | 申请日： | 2013-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN104919572A | 公开（公告）日： | 2015-09-16 |
| 发明（设计）人： | 郑光春;柳志勋;李仁淑;成俊基;韩大尚 | 申请（专利权）人： | 印可得株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;杨生平 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供导电图案的形成方法及导电图案部件。所述方法的特征在于，包括步骤：a)在具有槽的基材的所述槽中填充导电墨；和b)在填充所述导电墨时，用蚀刻液溶解残留在所述基材的表面的导电墨，并将所述导电墨引导至所述槽，从而使所述槽中填充所述导电墨。如此，提供一种现有技术很难实现的低电阻超细导电图案的形成方法，所述方法通过在基材的槽中填充导电墨而形成导电图案，并且用蚀刻液溶解残留在基材表面的导电墨，并将所述导电墨推入并填充于基材的槽中。并且，本发明还能够提高基材的透明性和绝缘特性。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 图案 形成 方法 透明 | ||
【主权项】：
一种导电图案的形成方法，其特征在于，包括步骤：a)在具有槽的基材的所述槽中填充导电墨；以及b)在填充所述导电墨时，用蚀刻液溶解残留在所述基材表面的导电墨，并将所述导电墨引导至所述槽中，从而使所述槽中填充所述导电墨。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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