[发明专利]氮化物半导体发光器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201380068930.4 | 申请日： | 2013-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN105144415A | 公开（公告）日： | 2015-12-09 |
| 发明（设计）人： | 金昇龙;金克 | 申请（专利权）人： | 日进LED有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/44;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;杨生平 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及确保优秀的光散射特性的同时能够通过，3-掩模工序的导入来减少掩模数的工序的简化来提高生产收率的氮化物半导体发光器件及其制造方法。本发明的氮化物半导体发光器件，其特征在于，包括：n型氮化物层；活性层，形成于上述n型氮化物层上；p型氮化物层，形成于上述活性层上；电流断开图案，形成于上述p型氮化物层上；透明导电图案，以覆盖上述p型氮化物层及电流断开图案的上侧的方式形成，且具有相向的两侧边缘呈对称结构的锥形(taper)截面；以及p-电极极板，配置在与上述电流断开图案相对应的位置，并以直接与上述透明导电图案相接触的方式形成。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体发光器件，其特征在于，包括：n型氮化物层；活性层，形成于所述n型氮化物层上；p型氮化物层，形成于所述活性层上；电流断开图案，形成于所述p型氮化物层上；透明导电图案，以覆盖所述p型氮化物层及电流断开图案的上侧的方式形成，具有相向的两侧边缘呈对称结构的锥形截面；以及p‑电极极板，配置在与所述电流断开图案相对应的位置，并以直接与所述透明导电图案相接触的方式形成。
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