[发明专利]半导体器件以及其制造方法在审
| 申请号： | 201380069858.7 | 申请日： | 2013-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN104904006A | 公开（公告）日： | 2015-09-09 |
| 发明（设计）人： | 都原彻;朴斗铉;白钟植;李志宪;徐成民 | 申请（专利权）人： | 安默克技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L23/02 | 分类号： | H01L23/02;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 田喜庆;吴孟秋 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了半导体器件以及制造其的方法，该半导体器件包括具有相对薄的厚度而没有硅通孔的插入件。制造半导体器件的方法包括在虚设基板上形成包括再分配层和介电层的插入件，将面向插入件上部的半导体管芯连接至再分配层，通过使用封装体封装半导体管芯，从插入件移除虚设基板，以及将面向插入件下部的凸块连接至再分配层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在虚设基板上形成包括再分配层和介电层的插入件；将半导体管芯连接至所述再分配层，所述半导体管芯面向所述插入件的上部；通过使用封装体来封装所述半导体管芯；以及从所述插入件移除所述虚设基板。
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