[发明专利]含有限制在孔中的碘或溴的沸石复合材料及其用途有效
| 申请号： | 201380071115.3 | 申请日： | 2013-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN104936691B | 公开（公告）日： | 2019-09-03 |
| 发明（设计）人： | 尹景炳;范曹盛東;朴鏞洙 | 申请（专利权）人： | 西江大学校产学协力团 |
| 主分类号： | B01J20/18 | 分类号： | B01J20/18;C01B7/14;C01B7/09 |
| 代理公司： | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人： | 石宝忠 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及包括Si/Al比为15或更高的沸石的碘(I2)或溴(Br2)吸附剂；包括该I2或Br2吸附剂的I2或Br2载体；用该I2或Br2吸附剂填充的塔；一种制品由该I2或Br2吸附剂制品组成，或这样的制品，其具有附着到该制品的该I2或Br2吸附剂；使用该I2或Br2吸附剂吸附或去除I2或Br2的方法；含碘或溴的沸石复合材料，其包括多孔沸石和限制在该沸石的孔中的碘(I2)或溴(Br2)；半导体材料，其包括该含碘或溴的沸石复合材料；和使用该含碘或溴的沸石复合材料制备含碘或溴的产品的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 含有 限制 中的 复合材料 及其 用途 | ||
【主权项】：
1.一种用于去除放射活性I2的方法，所述方法包括将放射活性I2吸附到包含多孔沸石的用于吸附碘的吸附剂的孔隙中而不会将所吸附的I2转化成I‑的步骤，所述沸石选自由SL‑1F、Si‑BEA和SL‑1组成的组，其中SL‑1为硅沸石‑1，SL‑1F为加入氟离子的硅沸石‑1。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西江大学校产学协力团，未经西江大学校产学协力团许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201380071115.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
