[发明专利]具有用于更高性能和能量效率的去耦比特的非易失性多级单元存储器有效
| 申请号： | 201380072020.3 | 申请日： | 2013-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN105103235B | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | N.穆拉利马诺哈;H.B.庸;N.P.朱皮 | 申请（专利权）人： | 慧与发展有限责任合伙企业 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京市汉坤律师事务所 11602 | 代理人： | 陈新;吴丽丽 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种非易失性多级单元（“MLC”）存储器设备。该存储器设备具有非易失性存储单元的阵列，非易失性存储单元的阵列，其中每个非易失性存储单元存储多组比特。存储器设备中的行缓冲器具有多个缓冲器部，每个缓冲器部存储来自存储单元的一个或多个比特并且具有不同的读取延迟和能量以及写入延迟和能量。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 用于 更高 性能 能量 效率 比特 非易失性 多级 单元 存储器 | ||
【主权项】：
一种非易失性多级单元（“MLC”）存储器设备，包括：非易失性存储单元的阵列，每个非易失性存储单元用于存储多组比特；以及行缓冲器，具有多个缓冲器部，每个缓冲器部用于存储来自存储单元的一个或多个比特并且具有不同的读取延迟和能量以及写入延迟和能量。
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