[发明专利]柔性基材上的薄膜氮化硅阻挡层在审
| 申请号： | 201380072957.0 | 申请日： | 2013-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN104995716A | 公开（公告）日： | 2015-10-21 |
| 发明（设计）人： | A·达尔;A·杰阿西 | 申请（专利权）人： | 美国圣戈班性能塑料公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林彦 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明提供了一种包括聚合物基材和至少一个无机阻挡层的制品，其中所述无机阻挡层具有不大于约400MPa的应力和至少约1.5g/cm |
||
| 搜索关键词： | 柔性 基材 薄膜 氮化 阻挡 | ||
【主权项】：
1.一种制品，其包括：有机聚合物基材；和无机单层，所述无机单层直接沉积于所述有机聚合物基材，其中所述无机单层基本上由氮化硅组成，所述无机单层具有不大于400MPa的应力，至少1.5g/cm3 的密度，至少150nm的厚度，和不大于0.005g/m2 /天的水蒸气透过速率(WVTR)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美国圣戈班性能塑料公司，未经美国圣戈班性能塑料公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201380072957.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
