[发明专利]非易失性半导体存储装置及其读取方法在审
| 申请号： | 201380074332.8 | 申请日： | 2013-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN105009219A | 公开（公告）日： | 2015-10-28 |
| 发明（设计）人： | 酒向万里生 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/02;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 李峥;刘薇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 该非易失性半导体存储装置包括存储基元阵列，存储基元阵列被配置为在其中设置有多个NAND基元单元，NAND基元单元中的每一者被配置为在其中具有多个串联连接的存储基元。位线被连接到NAND基元单元的一端，并且源线被连接到NAND基元单元的另一端。感测放大器电路被连接到位线。感测放大器电路包括：第一开关电路，其被连接在电源电压端子和感测节点之间；感测放大器，其被连接到感测节点；以及锁存电路，其锁存从感测放大器输出的信号。第一开关电路被配置为根据锁存电路所锁存的数据而切换到非导通状态。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 装置 及其 读取 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性半导体存储装置，包括：存储基元阵列，其被配置为在其中设置有多个NAND基元单元，所述NAND基元单元中的每一者被配置为在其中具有多个串联连接的存储基元；位线，其被连接到所述NAND基元单元的一端；源线，其被连接到所述NAND基元单元的另一端；以及感测放大器电路，其被连接到所述位线，所述感测放大器电路包括：第一开关电路，其被连接在电源电压端子和感测节点之间；感测放大器，其被连接到所述感测节点；以及锁存电路，其锁存从所述感测放大器输出的信号，并且所述第一开关电路被配置为根据所述锁存电路锁存的数据而切换到非导通状态。
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