[发明专利]半导体装置

摘要

配置有IGBT的IGBT部(10)和配置有控制电路的电路部(20)被配置于同一半导体芯片上。在电路部(20)，在与IGBT部(10)的边界配置有电介质分离区(40)。在半导体芯片的正面侧的表面层，从IGBT部(10)到电路部(20)的范围内设置有p+型区域(4)。在电路部(20)，在与IGBT部(10)的边界，以从芯片正面贯通p+型区域(4)而到达n‑型漂移区(3)的深度设置有电介质分离层(5)，并构成电介质分离区(40)。p+型区域(4)通过电介质分离层(5)被分离为IGBT部(10)侧的第一p+型区域(4‑1)和电路部(20)侧的第二p+型区域(4‑2)。第一p+型区域(4‑1)、第二p+型区域(4‑2)成为接地电位。由此，能够实现电路整体的小型化以及低成本。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，是在同一半导体基板具备绝缘栅双极型晶体管和控制所述绝缘栅双极型晶体管的电路的半导体装置，其具备：第一元件部，其配置有所述绝缘栅双极型晶体管；第二元件部，其配置有所述电路，所述电路包含在正面具有源区和漏区的多个MOSFET；第二导电型漂移区，其设置于第一导电型的所述半导体基板的正面上；第一导电型区，其设置于所述第二导电型漂移区的与所述半导体基板侧相反一侧的表面层；和绝缘体层，其在深度方向上贯通所述第一导电型区而到达所述第二导电型漂移区，其中，所述绝缘体层设置于所述第一元件部和所述第二元件部之间的边界，所述第一导电型区通过所述绝缘体层被分离为所述第一元件部侧的所述绝缘栅双极型晶体管的发射电位的第一个第一导电型区和所述第二元件部侧的第二个第一导电型区，所述半导体装置还具备：第一接触电极，其与所述第二个第一导电型区接触，其中，所述第一接触电极与所述绝缘栅双极型晶体管的发射电极电连接。