[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201380074750.7 | 申请日： | 2013-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN105190897A | 公开（公告）日： | 2015-12-23 |
| 发明（设计）人： | 岩崎真也 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 苏萌萌;范文萍 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体装置具备：半导体基板，所述半导体基板包括：第一导电型的漂移层；第二导电型的体层，其被设置于漂移层的表面侧；第一导电型的第一半导体层，其被设置在体层的表面的一部分上；和沟槽栅，其从半导体基板的表面起贯穿体层以及第一半导体层并到达漂移层。沟槽栅具备被形成在沟槽的内壁上的栅绝缘膜和被配置于栅绝缘膜的内侧的栅电极。位于与半导体基板的体层相接的深度处的沟槽的内壁为半导体基板的(100)晶面。沟槽的在与长边方向垂直的短边方向上的宽度为，与成为从半导体基板的第一半导体层的下端到体层的下端为止的深度的位置处的宽度相比，成为半导体基板的表面的位置处的宽度较窄。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具备：半导体基板，所述半导体基板包括：第一导电型的漂移层；第二导电型的体层，其被设置于漂移层的表面侧；第一导电型的第一半导体层，其被设置在体层的表面的一部分上；和沟槽栅，其从半导体基板的表面起贯穿体层以及第一半导体层并到达漂移层，沟槽栅具备被形成在沟槽的内壁上的栅绝缘膜和被配置于栅绝缘膜的内侧的栅电极，位于与半导体基板的体层相接的深度处的沟槽的内壁为半导体基板的(100)晶面，沟槽的在与长边方向垂直的短边方向上的宽度为，与成为从半导体基板的第一半导体层的下端到体层的下端为止的深度的位置处的宽度相比，成为半导体基板的表面的位置处的宽度较窄。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于丰田自动车株式会社，未经丰田自动车株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201380074750.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
