[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

在半导体基板(SB)上隔着第1绝缘膜地形成线圈(CL1)，以覆盖第1绝缘膜以及线圈(CL1)的方式形成第2绝缘膜，在第2绝缘膜上形成有焊盘(PD1)。在第2绝缘膜上形成有具有使焊盘(PD1的一部分露出的开口部(OP1)的层叠膜(LF)，在所述层叠绝缘膜上形成有线圈(CL2)。线圈(CL2)配置在线圈(CL1)的上方，线圈(CL2)与线圈(CL1)进行磁耦合。层叠膜(LF)由氧化硅膜(LF1)、其上的氮化硅膜(LF2)、以及其上的树脂膜(LF3)构成。

主权项

一种半导体装置，具有：半导体基板；第1线圈，隔着第1绝缘膜形成在所述半导体基板上；第2绝缘膜，在所述半导体基板上以覆盖所述第1绝缘膜以及所述第1线圈的方式形成；第1焊盘，在所述第2绝缘膜上形成并且配置于与所述第1线圈在俯视时不重叠的位置；层叠绝缘膜，在所述第2绝缘膜上形成并且具有使所述第1焊盘露出的第1开口部；第2线圈，在所述层叠绝缘膜上形成并且配置于所述第1线圈的上方；以及第1布线，在包括从所述第1开口部露出的所述第1焊盘上的所述层叠绝缘膜上形成并且与所述第1焊盘电连接，所述层叠绝缘膜由氧化硅膜、所述氧化硅膜上的氮化硅膜以及所述氮化硅膜上的树脂膜构成，所述第1线圈与所述第2线圈没有通过导体来连接而是进行磁耦合，所述第1焊盘的一部分被所述层叠绝缘膜覆盖。