[发明专利]多级掩模电路制造及多层电路有效
| 申请号： | 201380076184.3 | 申请日： | 2013-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN105431797B | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | P·梅;C·P·陶西格;M·阿尔曼扎-沃克曼 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | G06F3/041 | 分类号： | G06F3/041;H01L21/027;H01L21/32 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 黄嵩泉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 电路制造使用多级掩模来图案化多层电路的第一导体层。第一导体图案化是要提供第一导体层与覆在多级掩模上面和位于多级掩模下中的一者的第二导体层之间的电隔离。在第二导体层覆盖多级掩模的情况下，通过底切多级掩模来提供电隔离。替代地，在第二导体位于多级掩模下的情况下，第一导体包括桥接间隙式导体，并且可通过桥接间隙式导体以及第二导体层与第一导体层之间的绝缘层两者来提供电隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 掩模 导体 第二导体层 第一导体层 电隔离 多层电路 间隙式 桥接 绝缘层 导体图案 电路制造 掩模电路 图案化 底切 替代 覆盖 制造 | ||
【主权项】：
1.一种多级掩模电路制造的方法，所述方法包括：使用多级掩模来图案化多层电路的第一导体层，所述第一导体层图案化提供下列中的一者：提供所述第一导体层与覆盖所述多级掩模的第二导体层之间的电隔离，所述电隔离是通过底切所述多级掩模来提供的；以及提供所述第一导体层与位于所述多级掩模下的第二导体层之间的电隔离，所述第一导体层包括桥接间隙式导体，所述电隔离是通过所述桥接间隙式导体以及所述第二导体层与所述第一导体层之间的绝缘层两者来提供的。
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