[发明专利]清洗方法和清洗装置有效
申请号: | 201380076677.7 | 申请日: | 2013-11-29 |
公开(公告)号: | CN105210177B | 公开(公告)日: | 2018-08-07 |
发明(设计)人: | 星子贵广;齐藤正广 | 申请(专利权)人: | 株式会社DALTON |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306;H01L21/304 |
代理公司: | 北京三幸商标专利事务所(普通合伙) 11216 | 代理人: | 刘淼 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的课题在于提供一种方法和装置,在清洗半导体基板等被清洗部件时,可抑制混于该清洗介质中的被清洗物的再次附着,并且可实现高的处理能力。上述课题通过下述方法解决,该方法包括:喷射步骤(B),其中,将多个被清洗部件(1)沉降于充满处理液(2)的处理槽(11)内,在保持该状态的同时,朝向多个被清洗部件(1)喷射与充满于上述处理槽(11)中的处理液(2)相同的处理液(2);排出步骤(C),其中,在对沉降有多个被清洗部件(1)的处理槽(11)内的处理液(2)以及朝向多个被清洗部件(1)喷射的处理液(2)进行排出时,为了一边保持将多个被清洗部件(1)沉降于处理液(2)中的状态,一边从处理槽(11)内排出处理液(2),在连续喷射处理液(2)的同时,将其排出。 | ||
搜索关键词: | 清洗 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种清洗方法,其特征在于,包括:喷射步骤,在该步骤中,将多个被清洗部件以及喷淋喷嘴沉降于充满处理液的处理槽内,在保持该状态的同时,上述喷淋喷嘴朝向上述多个被清洗部件从上述被清洗部件的上侧以高压状态进行喷淋喷射与充满于上述处理槽中的处理液相同的处理液,剥离被清洗部件的膜;排出步骤,在该步骤中,在对沉降有上述多个被清洗部件的处理槽内的处理液以及朝向上述多个被清洗部件喷射的处理液从被清洗部件的下侧进行排出时,为了一边保持将多个被清洗部件沉降于处理液中的状态,一边从上述处理槽内排出上述处理液,在连续喷射上述处理液的同时,将其排出;其中,上述喷射步骤和排出步骤同时进行。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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