[发明专利]太阳能电池单元及其制造方法、太阳能电池模块有效

专利信息
申请号: 201380076925.8 申请日: 2013-05-28
公开(公告)号: CN105247686B 公开(公告)日: 2017-11-14
发明(设计)人: 森川浩昭 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/0236
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 代理人: 孙蕾
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种太阳能电池单元,具备第1导电类型的半导体基板,在作为受光面侧的一面侧具有扩散了第2导电类型的杂质元素的杂质扩散层;受光面侧电极,由栅电极和与所述栅电极导通且比所述栅电极更宽幅的汇流电极构成,该受光面侧电极在所述一面侧形成而与所述杂质扩散层电连接;以及背面侧电极,在所述半导体基板的与所述一面侧相反的一侧的背面中形成而与所述杂质扩散层电连接,其中,所述受光面侧电极具备第1金属电极层,该第1金属电极层是与所述半导体基板的一面侧直接接合了的金属膏电极层;第2金属电极层,由与所述第1金属电极层不同并且具有与所述第1金属电极层大致等同的电阻率的金属材料构成,是覆盖在所述第1金属电极层上而形成了的镀覆电极层,所述栅电极的剖面积是300μm2以上,所述栅电极的电极宽度是60μm以下。
搜索关键词: 太阳能电池 单元 及其 制造 方法 模块
【主权项】:
一种太阳能电池单元,具备:第1导电类型的半导体基板,在作为受光面侧的一面侧具有扩散了第2导电类型的杂质元素的杂质扩散层;防反射膜,被形成在所述半导体基板上的所述一面侧;受光面侧电极,由栅电极和与所述栅电极导通且比所述栅电极更宽幅的汇流电极构成,该受光面侧电极被形成在所述一面侧并与所述杂质扩散层电连接;以及背面侧电极,被形成在所述半导体基板的与所述一面侧相对的背面并与所述杂质扩散层电连接,所述太阳能电池单元的特征在于,所述受光面侧电极具备第1金属电极层和第2金属电极层,该第1金属电极层是贯通所述防反射膜而与所述半导体基板的一面侧直接接合的金属膏电极层,所述第2金属电极层由与所述第1金属电极层不同并且具有与所述第1金属电极层大致等同的电阻率的金属材料构成,由此,所述受光面侧电极的宽度、剖面积的设计与单独使用所述第1金属电极层形成受光面侧电极的情况相同,所述第2金属电极层是覆盖所述第1金属电极层的上表面和侧面、并且在所述第1金属电极层的侧面侧形成在所述防反射膜上的镀覆电极层,所述栅电极的剖面积是300μm2以上,所述栅电极的电极宽度是60μm以下。
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