[发明专利]在横向外延过生长区域中形成基于无缺陷鳍的器件有效
| 申请号： | 201380076944.0 | 申请日： | 2013-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN105474370B | 公开（公告）日： | 2019-02-22 |
| 发明（设计）人： | N·戈埃尔;B·楚-昆古;S·达斯谷普塔;N·穆克赫吉;M·V·梅茨;V·H·勒;J·T·卡瓦利罗斯;R·S·乔;R·皮尔拉瑞斯帝 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L21/20 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张东梅 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 可通过在沟槽的底部处的衬底表面上外延生长第一层材料来形成电子器件鳍，该沟槽形成于浅沟槽隔离(STI)区域的侧壁之间。沟槽高度可以是其宽度的至少1.5倍，以及第一层可填充小于沟槽高度。接着可在沟槽中的第一层上和在STI区域的顶面之上外延生长第二层材料。第二层可具有在沟槽之上和在STI区域的顶面的部分上延伸的第二宽度。然后，可图案化和蚀刻该第二层以在STI区域的顶面的部分之上且接近沟槽形成电子器件鳍对。该过程可避免由于在层界面中的晶格失配引起的鳍中的结晶缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 外延 生长 区域 形成 基于 缺陷 器件 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成电子器件鳍对的方法，包括：在由多个浅沟槽隔离(STI)区域形成的沟槽的底部处的衬底表面上外延生长第一层第一外延材料，所述浅沟槽隔离(STI)区域具有限定所述沟槽的第一宽度和第一高度的STI侧壁；在沟槽中的第一层上和在STI区域的顶面之上外延生长第二层第二外延材料至在第一高度之上的第二高度，所述第二层具有在沟槽之上和在STI区域的顶面的部分之上延伸的第二宽度；以及图案化和蚀刻第二层以在STI区域的顶面的部分之上形成电子器件鳍对，所述部分各毗邻沟槽侧壁。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
